FCH190N65F-F155-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A， 漏源电压耐受能力达800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅工艺， 具备低开关损耗与高耐压特性， 适用于高频电源转换、光伏逆变、储能系统及高效率开关电源等场景。 其稳定的电气性能有助于在严苛工作条件下维持高效运行， 并简化热管理设计。