FCH040N65S3-F155-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备优异的导通与开关性能。 其漏极电流ID可达49A， 漏源电压VDSS最高支持650V， 导通电阻RDON低至33mΩ， 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。 器件采用成熟工艺制造， 具有良好的热稳定性和可靠性， 适合应用于服务器电源、通信设备、新能源及高性能计算等领域的同步整流、DC-DC转换和功率开关场景。