FCD7N60TM-WS
IC
TO-252
可供量大可议
FCD7N60TM-WS
SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列， 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻， 以及更低门极电荷方面的出色性能。 此技术专用于最大程度降低导通损耗， 提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。 因此， SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用， 如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
品牌
onsemi
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
FCD7N60TM-WS参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | FCD7N60TM-WS |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 8.5e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 输入电容(Ciss) | 920pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:600V 电流:7A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FCD7N60TM-WS概述
SuperFET MOSFET是仙童半导体(Fairchild Semiconductor)第一代高压超结(SJ)MOSFET系列产品, 采用电荷平衡技术, 具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 该技术旨在最大程度降低传导损耗, 提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。 因此, SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用, 如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
FCD7N60TM-WS特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 530 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 23 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff. ) = 60 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
FCD7N60TM-WS应用领域
- LCD/LED电视和显示器-照明-太阳能逆变器-交流-直流电源