FCD600N65S3R0-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FCD600N65S3R0-HXY
该碳化硅场效应管为N沟道结构， 额定漏极电流ID为10.2A， 漏源击穿电压VDSS达800V， 导通电阻RDS(ON)为550mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料特性， 在高耐压条件下仍能维持稳定的开关行为， 适用于对电压裕量和可靠性要求较高的电源系统。 其驱动电压范围支持多种控制电路接口， 有助于简化栅极驱动设计， 同时明确的参数指标便于在高频或高效率应用场景中进行精确选型与布局。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
FCD600N65S3R0-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
FCD600N65S3R0-HXY概述
该碳化硅场效应管为N沟道结构， 额定漏极电流ID为10.2A， 漏源击穿电压VDSS达800V， 导通电阻RDS(ON)为550mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料特性， 在高耐压条件下仍能维持稳定的开关行为， 适用于对电压裕量和可靠性要求较高的电源系统。 其驱动电压范围支持多种控制电路接口， 有助于简化栅极驱动设计， 同时明确的参数指标便于在高频或高效率应用场景中进行精确选型与布局。
FCD600N65S3R0-HXY特性
暂无产品特性。
FCD600N65S3R0-HXY应用领域
暂无应用领域。