FCD5N60TM-WS
自营可供
IC
TO-252
FCD5N60TM-WS
SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列， 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻， 以及更低门极电荷方面的卓越性能。 此工艺专用于最大程度降低导电损耗， 提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。 因此， SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用， 如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
品牌
onsemi
封装
TO-252
交期
现货
批次
—
FCD5N60TM-WS参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | FCD5N60TM-WS |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000504 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 810mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 输入电容(Ciss) | 600pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:600V 电流:4.6A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FCD5N60TM-WS概述
SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列， 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻， 以及更低门极电荷方面的卓越性能。 此工艺专用于最大程度降低导电损耗， 提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。 因此， SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用， 如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
FCD5N60TM-WS特性
- 在结温(TJ)为150°C时, 耐压650 V
- 典型导通电阻(RDS(on))为810 mΩ
- 超低栅极电荷(典型栅极电荷Qg = 16 nC)
- 低有效输出电容(典型有效输出电容Coss(eff. ) = 32 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
FCD5N60TM-WS应用领域
- LCD/LED电视和显示器-照明-太阳能逆变器-交流-直流电源