FCD4N60TM-VB
IC
TO-252
可供量大可议
FCD4N60TM-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率场效应晶体管（FET）， 采用SJ_Deep-Trench技术制造， 具有稳定可靠的性能和高效的功率处理能力。 适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。 TO252； N—Channel沟道, 650V； 5A； RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
14
货期
现货
FCD4N60TM-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14 |
FCD4N60TM-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率场效应晶体管（FET）， 采用SJ_Deep-Trench技术制造， 具有稳定可靠的性能和高效的功率处理能力。 适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。 TO252； N—Channel沟道, 650V； 5A； RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2~4V
FCD4N60TM-VB特性
暂无产品特性。
FCD4N60TM-VB应用领域
暂无应用领域。