FCD260N65S3-HXY

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻为160mΩ， 有助于降低导通损耗， 提升系统能效。 栅源电压范围-5V至+16V， 支持稳定驱动与过压保护。 碳化硅材料赋予器件优异的高频开关特性、高温工作稳定性及快速响应能力， 适用于高效率电源转换设计。 典型应用场景包括大功率开关电源、可再生能源发电逆变单元、储能系统功率模块及高密度电力变换装置， 满足对小型化、高可靠性和低损耗的电路需求。