F3L150R07W2E3_B11
IC
插件, 62.8x56.7mm
可供量大可议
F3L150R07W2E3_B11
特性：增加阻断电压能力至650V。 低电感设计。 低开关损耗。 低集电极-发射极饱和电压（VcEsat）。 Al₂O₃ 基板， 低热阻。 紧凑设计。 应用：三电平应用。 太阳能应用
品牌
Infineon
封装
插件, 62.8x56.7mm
库存
5
货期
现货
F3L150R07W2E3_B11参数
| 封装 | 插件, 62.8x56.7mm |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
F3L150R07W2E3_B11概述
特性：增加阻断电压能力至650V。 低电感设计。 低开关损耗。 低集电极-发射极饱和电压（VcEsat）。 Al₂O₃ 基板， 低热阻。 紧凑设计。 应用：三电平应用。 太阳能应用
F3L150R07W2E3_B11特性
暂无产品特性。
F3L150R07W2E3_B11应用领域
暂无应用领域。