F13N50L
IC
TO-220F-3L
可供量大可议
F13N50L
这些N沟道增强型VDMOSFET采用自对准平面技术， 降低了传导损耗， 改善了开关性能， 并提高了雪崩能量。 符合RoHS标准。
Brand
晶导微电子
Package
TO-220F-3L
Stock
30
货期
现货
F13N50LParameters
| 封装 | TO-220F-3L |
|---|---|
| 品牌 | 晶导微电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
F13N50L概述
这些N沟道增强型VDMOSFET采用自对准平面技术， 降低了传导损耗， 改善了开关性能， 并提高了雪崩能量。 符合RoHS标准。
F13N50L特性
暂无产品特性。
F13N50L应用领域
暂无应用领域。