F10N60L
IC
TO-220F-3L
可供量大可议
F10N60L
这些 N 沟道增强型 VDMOSFET 采用自对准平面技术制造， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 它们符合 RoHS 标准。
品牌
晶导微电子
封装
TO-220F-3L
库存
43
货期
现货
F10N60L参数
| 封装 | TO-220F-3L |
|---|---|
| 品牌 | 晶导微电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 43 |
F10N60L概述
这些 N 沟道增强型 VDMOSFET 采用自对准平面技术制造， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 它们符合 RoHS 标准。
F10N60L特性
暂无产品特性。
F10N60L应用领域
暂无应用领域。