EZJPZV6R8GA

由于采用了先进的材料技术， 具有出色的ESD抑制能力。 符合IEC61000-4-2， 4级标准。 可以替代2个齐纳二极管和1个电容。 为高速总线的直流电压线路提供低电容版本。 为高速总线的信号线路提供超低电容。 适用于USB 2.0、IEEE1394和HDMI高速数据总线。 符合RoHS标准。 采用多层单片陶瓷结构， 适用于高速信号线路。 适用于USB 2.0、IEEE1394和HDMI高速数据总线。 电容：典型值0.8至2.1 pF。 采用多层单片陶瓷结构， 用于保护直流电压线路或信号线路。 压敏电压：在1 mA时为6.8至65 V。 电容：在1 MHz时为8.5至420 pF（典型值）。