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ESEP1520K
IC

TO-252

可供量大可议

ESEP1520K

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):19A 功率(Pd):62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):57mΩ@10V, 30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.0V@250uA N沟道, 150V, 19A, 57mΩ@10V

品牌

ElecSuper

封装

TO-252

库存

1,365

货期

现货

ESEP1520K参数

封装TO-252
品牌ElecSuper(静芯)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存1365

ESEP1520K概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):19A 功率(Pd):62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):57mΩ@10V, 30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.0V@250uA N沟道, 150V, 19A, 57mΩ@10V

ESEP1520K特性

暂无产品特性。

ESEP1520K应用领域

暂无应用领域。

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