ESE6080K
IC
TO-252
可供量大可议
ESE6080K
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：6mΩ@10V, 30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
品牌
ElecSuper
封装
TO-252
库存
170
货期
现货
ESE6080K参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ElecSuper(静芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 170 |
ESE6080K概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：6mΩ@10V, 30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
ESE6080K特性
暂无产品特性。
ESE6080K应用领域
暂无应用领域。