ESDU3V3ADB
IC
DFN1x0.6-2L
可供量大可议
ESDU3V3ADB
ESDU. ADB 系列 TVS 二极管旨在保护敏感电子设备免受因 ESD 及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闭锁。 它们的工作电压有 3.3V、5V、12V 可选。 这些器件为单向器件, 可用于信号极性高于地电位的线路。 TVS 二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流。 它们具备用于电路板级保护的理想特性, 包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压, 且不会出现器件性能退化。 它们采用 DFN1x0.6 - 2L 封装。 标准产品无铅且无卤素。 由于其封装小、重量轻, 特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用。
品牌
PJSEMI
封装
DFN1x0.6-2L
库存
500
货期
现货
ESDU3V3ADB参数
| 封装 | DFN1x0.6-2L |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 500 |
ESDU3V3ADB概述
ESDU. ADB 系列 TVS 二极管旨在保护敏感电子设备免受因 ESD 及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闭锁。 它们的工作电压有 3.3V、5V、12V 可选。 这些器件为单向器件, 可用于信号极性高于地电位的线路。 TVS 二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流。 它们具备用于电路板级保护的理想特性, 包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压, 且不会出现器件性能退化。 它们采用 DFN1x0.6 - 2L 封装。 标准产品无铅且无卤素。 由于其封装小、重量轻, 特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用。
ESDU3V3ADB特性
暂无产品特性。
ESDU3V3ADB应用领域
暂无应用领域。
