ESDSLC18VLB
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
ESDSLC18VLB
特性：截止电压：18V。 每条线路根据IEC61000-4-2（ESD）的最大瞬态保护：±15kV（接触）。 根据IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）。 超低电容：CJ = 0.35pF（典型值）。 超低泄漏电流：IR < 1nA（典型值）。 低钳位电压：VCL = 10V（典型值）， IPP = 16A（TLP）。 固态硅技术
品牌
YANGJIE
封装
DFN1006-2L
库存
7,330
货期
现货
ESDSLC18VLB参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | YANGJIE(扬杰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 7330 |
ESDSLC18VLB概述
特性：截止电压：18V。 每条线路根据IEC61000-4-2（ESD）的最大瞬态保护：±15kV（接触）。 根据IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）。 超低电容：CJ = 0.35pF（典型值）。 超低泄漏电流：IR < 1nA（典型值）。 低钳位电压：VCL = 10V（典型值）， IPP = 16A（TLP）。 固态硅技术
ESDSLC18VLB特性
暂无产品特性。
ESDSLC18VLB应用领域
暂无应用领域。