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ESDLLC5V0D8BH
IC

DFN1006-2

可供量大可议

ESDLLC5V0D8BH

ESDLLC5V0D8BH是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 采用先进的单晶硅技术, 具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压, 是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。 ESDLLC5V0D8BH具有超低电容, 典型值为0.25 pF, 符合IEC 61000-4-2(ESD)标准, 空气放电±15 kV, 接触放电±8 kV。 该器件采用超小型1.0x0.6x0.5 mm无铅DFN封装。 其小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护能力, 使ESDLLC5V0D8BH成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

品牌

Yint

封装

DFN1006-2

库存

120

货期

现货

ESDLLC5V0D8BH参数

封装DFN1006-2
品牌Yint(音特电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存120

ESDLLC5V0D8BH概述

ESDLLC5V0D8BH是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 采用先进的单晶硅技术, 具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压, 是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。 ESDLLC5V0D8BH具有超低电容, 典型值为0.25 pF, 符合IEC 61000-4-2(ESD)标准, 空气放电±15 kV, 接触放电±8 kV。 该器件采用超小型1.0x0.6x0.5 mm无铅DFN封装。 其小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护能力, 使ESDLLC5V0D8BH成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

ESDLLC5V0D8BH特性

暂无产品特性。

ESDLLC5V0D8BH应用领域

暂无应用领域。

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