ESDL2012MX4T5G
IC
DFN0603-2
可供量大可议
ESDL2012MX4T5G
ESDL2012旨在保护需要低电容的电压敏感元件， 使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。 出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间， 使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于静电放电保护。 由于其电容较低， 该器件非常适合用于高速数据线应用
品牌
onsemi
封装
DFN0603-2
库存
20,190
货期
现货
ESDL2012MX4T5G参数
| 封装 | DFN0603-2 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 20190 |
ESDL2012MX4T5G概述
ESDL2012旨在保护需要低电容的电压敏感元件， 使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。 出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间， 使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于静电放电保护。 由于其电容较低， 该器件非常适合用于高速数据线应用
ESDL2012MX4T5G特性
暂无产品特性。
ESDL2012MX4T5G应用领域
暂无应用领域。