ESDBM3V3A1
IC
DFNWB1006-2L
可供量大可议
ESDBM3V3A1
旨在保护电压敏感型电子元件免受静电放电（ESD）和其他瞬态影响。 出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间， 为易受ESD影响的设计提供了一流的保护。 小尺寸、低电容和高水平的ESD保护相结合， 使其成为HDMI、Display Port和MDDI接口等应用的灵活解决方案。 它旨在替代手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV）。
品牌
CJ
封装
DFNWB1006-2L
库存
17,560
货期
现货
ESDBM3V3A1参数
| 封装 | DFNWB1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 商品型号 | ESDBM3V3A1 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 17560 |
| 商品名称 | ESDBM3V3A1 |
| 封装 | DFN1006-2L |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 1.023e-05 |
ESDBM3V3A1概述
旨在保护电压敏感型电子元件免受静电放电（ESD）和其他瞬态影响。 出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间， 为易受ESD影响的设计提供了一流的保护。 小尺寸、低电容和高水平的ESD保护相结合， 使其成为HDMI、Display Port和MDDI接口等应用的灵活解决方案。 它旨在替代手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV）。
ESDBM3V3A1特性
暂无产品特性。
ESDBM3V3A1应用领域
暂无应用领域。