ESDBL18VD3N
IC
SOD-323
可供量大可议
ESDBL18VD3N
特性：220 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电：±30kV， 接触放电：±30kV。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
品牌
BORN
封装
SOD-323
库存
6,770
货期
现货
ESDBL18VD3N参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 6770 |
ESDBL18VD3N概述
特性：220 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电：±30kV， 接触放电：±30kV。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
ESDBL18VD3N特性
暂无产品特性。
ESDBL18VD3N应用领域
暂无应用领域。