ESD9L3.3ST5GB
IC
DFN1006-2
可供量大可议
ESD9L3.3ST5GB
特性：保护一个双向I/O线。 低钳位电压。 低工作电压：3.3V。 符合ROHS标准。 IEC61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20kV 接触放电：±20kV。 IEC61000-4-5（浪涌）4.0A（8/20μs）。 应用：手机及配件。 个人数字助理（PDA）
品牌
FUXINSEMI
封装
DFN1006-2
库存
10,660
货期
现货
ESD9L3.3ST5GB参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | FUXINSEMI(富芯森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10660 |
ESD9L3.3ST5GB概述
特性：保护一个双向I/O线。 低钳位电压。 低工作电压：3.3V。 符合ROHS标准。 IEC61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20kV 接触放电：±20kV。 IEC61000-4-5（浪涌）4.0A（8/20μs）。 应用：手机及配件。 个人数字助理（PDA）
ESD9L3.3ST5GB特性
暂无产品特性。
ESD9L3.3ST5GB应用领域
暂无应用领域。