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ESD9B5.0ST5G-MS
IC

DFN1006-2

可供量大可议

ESD9B5.0ST5G-MS

峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):80W 钳位电压(VC): 10V 工作电压(VRWM):5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR):5.6V-8.4V 结电容(CJ):15PF-18PF

品牌

MSKSEMI

封装

DFN1006-2

库存

1,260

货期

现货

ESD9B5.0ST5G-MS参数

封装DFN1006-2
品牌MSKSEMI(美森科)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存1260

ESD9B5.0ST5G-MS概述

峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):80W 钳位电压(VC): 10V 工作电压(VRWM):5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR):5.6V-8.4V 结电容(CJ):15PF-18PF

ESD9B5.0ST5G-MS特性

暂无产品特性。

ESD9B5.0ST5G-MS应用领域

暂无应用领域。

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