ESD8L5.0C-HXY
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
ESD8L5.0C-HXY
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管， 专为5V系统设计， 提供单通道高效保护。 具备3A峰值脉冲电流IPP性能， 有效抑制双向瞬态ESD电压， 保障电路安全。 结电容低至0.6pF， 确保高速数据接口在面对静电放电时信号完整性得到最佳维持， 是高集成度和高速传输电子设备的理想ESD防护解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
450
货期
现货
ESD8L5.0C-HXY参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 450 |
ESD8L5.0C-HXY概述
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管， 专为5V系统设计， 提供单通道高效保护。 具备3A峰值脉冲电流IPP性能， 有效抑制双向瞬态ESD电压， 保障电路安全。 结电容低至0.6pF， 确保高速数据接口在面对静电放电时信号完整性得到最佳维持， 是高集成度和高速传输电子设备的理想ESD防护解决方案。
ESD8L5.0C-HXY特性
暂无产品特性。
ESD8L5.0C-HXY应用领域
暂无应用领域。