ESD8D5.0C-V2-HXY
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
ESD8D5.0C-V2-HXY
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统， 提供单通道保护。 具有5.5A峰值脉冲电流IPP能力， 有效对抗双向瞬态ESD冲击， 确保电路安全。 结电容低至10pF， 保障高速数据传输时信号完整性， 是现代电子设备接口的理想选择， 为高集成度应用提供卓越的静电防护性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
8,100
货期
现货
ESD8D5.0C-V2-HXY参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 100 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 8100 |
ESD8D5.0C-V2-HXY概述
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统， 提供单通道保护。 具有5.5A峰值脉冲电流IPP能力， 有效对抗双向瞬态ESD冲击， 确保电路安全。 结电容低至10pF， 保障高速数据传输时信号完整性， 是现代电子设备接口的理想选择， 为高集成度应用提供卓越的静电防护性能。
ESD8D5.0C-V2-HXY特性
暂无产品特性。
ESD8D5.0C-V2-HXY应用领域
暂无应用领域。