ESD8D3.3C-HXY
IC
DFN1006-2
可供量大可议
ESD8D3.3C-HXY
该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计, 提供单通道高效防护。 器件能在瞬态条件下承受9A峰值脉冲电流IPP, 有效防止双向静电放电对电路的影响。 其结电容低至15pF, 确保在高速数据接口应用中保持出色的信号完整性, 是现代便携式与高集成电子设备的理想ESD保护选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2
库存
4,940
货期
现货
ESD8D3.3C-HXY参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 4940 |
ESD8D3.3C-HXY概述
该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计, 提供单通道高效防护。 器件能在瞬态条件下承受9A峰值脉冲电流IPP, 有效防止双向静电放电对电路的影响。 其结电容低至15pF, 确保在高速数据接口应用中保持出色的信号完整性, 是现代便携式与高集成电子设备的理想ESD保护选择。
ESD8D3.3C-HXY特性
暂无产品特性。
ESD8D3.3C-HXY应用领域
暂无应用领域。
