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ESD8D3.3C-HXY
IC

DFN1006-2

可供量大可议

ESD8D3.3C-HXY

该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计, 提供单通道高效防护。 器件能在瞬态条件下承受9A峰值脉冲电流IPP, 有效防止双向静电放电对电路的影响。 其结电容低至15pF, 确保在高速数据接口应用中保持出色的信号完整性, 是现代便携式与高集成电子设备的理想ESD保护选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2

库存

4,940

货期

现货

ESD8D3.3C-HXY参数

封装DFN1006-2
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存4940

ESD8D3.3C-HXY概述

该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计, 提供单通道高效防护。 器件能在瞬态条件下承受9A峰值脉冲电流IPP, 有效防止双向静电放电对电路的影响。 其结电容低至15pF, 确保在高速数据接口应用中保持出色的信号完整性, 是现代便携式与高集成电子设备的理想ESD保护选择。

ESD8D3.3C-HXY特性

暂无产品特性。

ESD8D3.3C-HXY应用领域

暂无应用领域。

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