ESD8351XV2T1G-MS
IC
SOD-523
可供量大可议
ESD8351XV2T1G-MS
特性：超低电容：0.5 pF。 低钳位电压。 小尺寸外形：0.047"×0.032"（1.20mm×0.80mm）。 低本体高度：0.024"（0.6mm）。 关断电压：5V。 低泄漏。 响应时间通常 < 1.0 ns。 IEC61000-4-2 4级ESD保护。 这是无铅器件
品牌
MSKSEMI
封装
SOD-523
库存
2,940
货期
现货
ESD8351XV2T1G-MS参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2940 |
ESD8351XV2T1G-MS概述
特性：超低电容：0.5 pF。 低钳位电压。 小尺寸外形：0.047"×0.032"（1.20mm×0.80mm）。 低本体高度：0.024"（0.6mm）。 关断电压：5V。 低泄漏。 响应时间通常 < 1.0 ns。 IEC61000-4-2 4级ESD保护。 这是无铅器件
ESD8351XV2T1G-MS特性
暂无产品特性。
ESD8351XV2T1G-MS应用领域
暂无应用领域。