ESD5Z3.3T1G-N
IC
SOD-523
可供量大可议
ESD5Z3.3T1G-N
特性：150Watts 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV， 接触放电 ±30kV。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
品牌
BORN
封装
SOD-523
库存
1,850
货期
现货
ESD5Z3.3T1G-N参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1850 |
ESD5Z3.3T1G-N概述
特性：150Watts 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV， 接触放电 ±30kV。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
ESD5Z3.3T1G-N特性
暂无产品特性。
ESD5Z3.3T1G-N应用领域
暂无应用领域。