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ESD5V0LB-HXY
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

ESD5V0LB-HXY

此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备30A的峰值脉冲电流承载能力IPP, 确保在遇到瞬时高电流冲击时能够有效保护电路。 其工作电压VRWM为5V, 适用于需要稳定电压防护的应用场景。 该器件拥有60皮法CJ的低电容特性, 几乎不影响信号完整性, 适合高速数据线保护。 作为1通道Bi双向类型的保护元件, 它可以在正反两个方向提供对称的保护性能, 是敏感电子设备接口的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

40

货期

现货

ESD5V0LB-HXY参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存40

ESD5V0LB-HXY概述

此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备30A的峰值脉冲电流承载能力IPP, 确保在遇到瞬时高电流冲击时能够有效保护电路。 其工作电压VRWM为5V, 适用于需要稳定电压防护的应用场景。 该器件拥有60皮法CJ的低电容特性, 几乎不影响信号完整性, 适合高速数据线保护。 作为1通道Bi双向类型的保护元件, 它可以在正反两个方向提供对称的保护性能, 是敏感电子设备接口的理想选择。

ESD5V0LB-HXY特性

暂无产品特性。

ESD5V0LB-HXY应用领域

暂无应用领域。

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