ESD5V0LB-HXY
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
ESD5V0LB-HXY
此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备30A的峰值脉冲电流承载能力IPP, 确保在遇到瞬时高电流冲击时能够有效保护电路。 其工作电压VRWM为5V, 适用于需要稳定电压防护的应用场景。 该器件拥有60皮法CJ的低电容特性, 几乎不影响信号完整性, 适合高速数据线保护。 作为1通道Bi双向类型的保护元件, 它可以在正反两个方向提供对称的保护性能, 是敏感电子设备接口的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
40
货期
现货
ESD5V0LB-HXY参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
ESD5V0LB-HXY概述
此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备30A的峰值脉冲电流承载能力IPP, 确保在遇到瞬时高电流冲击时能够有效保护电路。 其工作电压VRWM为5V, 适用于需要稳定电压防护的应用场景。 该器件拥有60皮法CJ的低电容特性, 几乎不影响信号完整性, 适合高速数据线保护。 作为1通道Bi双向类型的保护元件, 它可以在正反两个方向提供对称的保护性能, 是敏感电子设备接口的理想选择。
ESD5V0LB-HXY特性
暂无产品特性。
ESD5V0LB-HXY应用领域
暂无应用领域。
