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ESD56281N05-2/TR
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IC

DFN1006-2L

ESD56281N05-2/TR

瞬态抑制二极管 ESD56281N05-2/TR

品牌

WILLSEMI

封装

DFN1006-2L

交期

现货

批次

26+

ESD56281N05-2/TR参数

封装DFN1006-2L
品牌WILLSEMI(韦尔)
批次26+
极性单向
钳位电压8.8V
击穿电压(VBR)6.4V
通道数单路
类型TVS
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存96,142
MOQ / SPQ1 / 1
反向截止电压(Vrwm)5.5V
峰值脉冲电流(Ipp)40A@8/20us
反向电流(Ir)100nA
防护等级IEC 61000-4-5; IEC 61000-4-2
Cj-结电容160pF

ESD56281N05-2/TR概述

瞬态抑制二极管 ESD56281N05-2/TR

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