ESD5611N-2/TR
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
ESD5611N-2/TR
ESD5611N是一款瞬态电压抑制器(TVS), 旨在保护连接到数据和电源线的敏感电子元件, 使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击造成的过应力影响。 ESD5611N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV(接触放电)的ESD保护, 并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达25A(8/20 μs)的峰值脉冲电流。 ESD5611N采用DFN1006 - 2L封装。 标准产品无铅且无卤素。
品牌
WILLSEMI
封装
DFN1006-2L
库存
4,690
货期
现货
ESD5611N-2/TR参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 4690 |
ESD5611N-2/TR概述
ESD5611N是一款瞬态电压抑制器(TVS), 旨在保护连接到数据和电源线的敏感电子元件, 使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击造成的过应力影响。 ESD5611N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV(接触放电)的ESD保护, 并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达25A(8/20 μs)的峰值脉冲电流。 ESD5611N采用DFN1006 - 2L封装。 标准产品无铅且无卤素。
ESD5611N-2/TR特性
暂无产品特性。
ESD5611N-2/TR应用领域
暂无应用领域。
