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ESD5611N-2/TR
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

ESD5611N-2/TR

ESD5611N是一款瞬态电压抑制器(TVS), 旨在保护连接到数据和电源线的敏感电子元件, 使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击造成的过应力影响。 ESD5611N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV(接触放电)的ESD保护, 并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达25A(8/20 μs)的峰值脉冲电流。 ESD5611N采用DFN1006 - 2L封装。 标准产品无铅且无卤素。

品牌

WILLSEMI

封装

DFN1006-2L

库存

4,690

货期

现货

ESD5611N-2/TR参数

封装DFN1006-2L
品牌WILLSEMI(韦尔)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存4690

ESD5611N-2/TR概述

ESD5611N是一款瞬态电压抑制器(TVS), 旨在保护连接到数据和电源线的敏感电子元件, 使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击造成的过应力影响。 ESD5611N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV(接触放电)的ESD保护, 并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达25A(8/20 μs)的峰值脉冲电流。 ESD5611N采用DFN1006 - 2L封装。 标准产品无铅且无卤素。

ESD5611N-2/TR特性

暂无产品特性。

ESD5611N-2/TR应用领域

暂无应用领域。

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