ESD5401N-2/TR
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
ESD5401N-2/TR
绝缘栅场效应管（MOSFET）
品牌
WILLSEMI
封装
DFN1006-2L
库存
16,992
货期
现货
ESD5401N-2/TR参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| 批次 | 两年内 |
| 极性 | 单向 |
| 钳位电压 | 45V |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 360W@8/20us |
| 反向电流(Ir) | 1nA |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 类型 | TVS |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 16,992 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 反向截止电压(Vrwm) | 24V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 8A@8/20us |
| 击穿电压(VBR) | 29V |
| 通道数 | 单路 |
| 防护等级 | IEC 61000-4-5； IEC 61000-4-2 |
| Cj-结电容 | 42pF |
ESD5401N-2/TR概述
绝缘栅场效应管（MOSFET）
ESD5401N-2/TR特性
暂无产品特性。
ESD5401N-2/TR应用领域
暂无应用领域。