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ESD3V3B20A-1006
IC

DFN1006-2

可供量大可议

ESD3V3B20A-1006

特性:200W 峰值脉冲功率(8/20 μs)。 超低泄漏:纳安级别。 工作电压:3.3V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电 ±30kV, 接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。 应用:手机及配件。 笔记本电脑和手持设备

品牌

TECH PUBLIC

封装

DFN1006-2

库存

1,320

货期

现货

ESD3V3B20A-1006参数

封装DFN1006-2
品牌TECH PUBLIC(台舟)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存1320

ESD3V3B20A-1006概述

特性:200W 峰值脉冲功率(8/20 μs)。 超低泄漏:纳安级别。 工作电压:3.3V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电 ±30kV, 接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。 应用:手机及配件。 笔记本电脑和手持设备

ESD3V3B20A-1006特性

暂无产品特性。

ESD3V3B20A-1006应用领域

暂无应用领域。

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