ESD103-B1-02EL E6327
IC
TSLP-2-20
可供量大可议
ESD103-B1-02EL E6327
特性：ESD/瞬态保护的射频和超高速信号线， 符合 IEC61000-4-2：±10 kV（接触）。 极低电容：在 f = 1 GHz 时， CL = 0.09 pF（典型值）。 最大工作电压：VRWM = ±15 V。 非常低的反向电流：IR < 0.1 nA（典型值）。 非常低的串联电感， 典型值低至 0.2 nH（TSSLP-2-4）。 极小的外形尺寸， 低至 0.62 × 0.32 × 0.31 mm²。 应用：射频应用中的 ESD 保护。 适用于连接应用
品牌
Infineon
封装
TSLP-2-20
库存
320
货期
现货
ESD103-B1-02EL E6327参数
| 封装 | TSLP-2-20 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 320 |
ESD103-B1-02EL E6327概述
特性：ESD/瞬态保护的射频和超高速信号线， 符合 IEC61000-4-2：±10 kV（接触）。 极低电容：在 f = 1 GHz 时， CL = 0.09 pF（典型值）。 最大工作电压：VRWM = ±15 V。 非常低的反向电流：IR < 0.1 nA（典型值）。 非常低的串联电感， 典型值低至 0.2 nH（TSSLP-2-4）。 极小的外形尺寸， 低至 0.62 × 0.32 × 0.31 mm²。 应用：射频应用中的 ESD 保护。 适用于连接应用
ESD103-B1-02EL E6327特性
暂无产品特性。
ESD103-B1-02EL E6327应用领域
暂无应用领域。