ESA50N03BD
IC
TO-252
可供量大可议
ESA50N03BD
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：4.0mΩ@10V, 30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA
品牌
ElecSuper
封装
TO-252
库存
1,535
货期
现货
ESA50N03BD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ElecSuper(静芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1535 |
ESA50N03BD概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：4.0mΩ@10V, 30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA
ESA50N03BD特性
暂无产品特性。
ESA50N03BD应用领域
暂无应用领域。