ES15N10
IC
TO-252
可供量大可议
ES15N10
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：100mΩ@10V, 5.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
品牌
ElecSuper
封装
TO-252
库存
30
货期
现货
ES15N10参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ElecSuper(静芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
ES15N10概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：100mΩ@10V, 5.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
ES15N10特性
暂无产品特性。
ES15N10应用领域
暂无应用领域。