EPC8004
IC
SMD, 2.1x0.9mm
可供量大可议
EPC8004
1个N沟道 耐压:40V 电流:4A
品牌
EPC
封装
SMD, 2.1x0.9mm
库存
59
货期
现货
EPC8004参数
| 封装 | SMD, 2.1x0.9mm |
|---|---|
| 品牌 | EPC |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 52pF |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:40V 电流:4A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 59 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 450pC@5V |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±6V |
| 商品型号 | EPC8004 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.001 |
EPC8004概述
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数, 可实现极低的导通电阻RDS(on), 而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。 最终结果是, 该器件既能处理需要极高开关频率和短导通时间的任务, 也能应对导通损耗占主导的应用场景。
EPC8004特性
- 超高效率
- 超低导通电阻RDS(on)
- 超低栅极电荷QG
- 超小封装尺寸
EPC8004应用领域
- 超高速直流-直流转换
- 射频包络跟踪
- 无线电力传输
- 游戏机和工业运动传感(激光雷达)