SMD
EPC2302
是1.8 mΩ max RDS(on)、100 V eGaN功率晶体管， 采用低电感3 x 5 mm QFN封装， 顶部外露， 便于热管理。 适用于40 V–60 V的高频DC-DC应用和48 V BLDC电机驱动。 热阻至外壳顶部约为0.2 °C/W， 热性能出色， 易于散热。 采用增强型PQFN “Thermal-Max” 封装
Brand
EPC
Package
SMD
Stock
41
货期
现货
EPC2302Parameters
| 封装 | SMD |
|---|---|
| 品牌 | EPC |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
| 商品型号 | EPC2302 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000216892 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 41 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@5V |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 100V 101A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
EPC2302概述
EPC2302是一款最大RDS(on)为1.8 mΩ、耐压100 V的增强型氮化镓(eGaN)功率晶体管, 采用低电感3×5 mm QFN封装, 顶部外露, 散热性能出色。 它专为40 V - 60 V的高频DC - DC应用以及48 V无刷直流(BLDC)电机驱动而设计。 该器件到封装顶部的热阻约为0.2 °C/W, 散热性能优异, 易于散热。 它采用了增强型PQFN “Thermal - Max” 封装。 外露的顶部增强了顶部散热管理, 可焊侧边确保回流焊过程中整个侧边焊盘表面都能被焊料浸润, 保护铜层, 并允许在此外侧区域进行焊接, 便于光学检测。 与硅MOSFET相比, 其15 mm2的占位面积不到同类最佳硅MOSFET的一半, 且具有相似的Rds(on)和耐压值, QG和QGD显著更小, QRR为0。 这使得开关损耗和栅极驱动损耗更低。 此外, EPC2302速度极快, 死区时间可小于10 ns, 从而提高效率, QRR = 0对可靠性和电磁干扰(EMI)控制非常有利。 总之, 由于效率提高、尺寸减小以及开关频率更高, 可使用更小的电感和更少的电容, EPC2302能够实现最高的功率密度。 EPC2302使设计人员能够提高效率并节省空间。 出色的散热性能使散热更容易且成本更低。 增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的超低电容和零反向恢复特性使其能够在多种拓扑结构中高效运行。 小尺寸、低电感的占位面积进一步提升了性能。
EPC2302特性
- 耐压100 V
- 典型RDS(on)为1.4 mΩ, 最大为1.8 mΩ
- 3×5 mm QFN封装
- 顶部外露, 便于顶部散热管理
- 湿度敏感度等级为MSL2
- 增强型Thermal
- Max封装
EPC2302应用领域
- AC
- DC充电器、开关电源(SMPS)、适配器、电源
- 输入高达80 V的高频DC
- DC转换(降压、升压、升降压和LLC)
- 24 V
- 60 V电机驱动
- 40 V
- 60 V到5 V
- 12 V的高功率密度DC
- DC模块
- 同步整流
- 太阳能最大功率点跟踪(MPPT)