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EPC2036
IC

BGA-4

可供量大可议

EPC2036

氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数, 可实现极低的导通电阻RDS(on), 其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。 最终的结果是, 该器件可以处理需要非常高的开关频率和短导通时间的任务, 以及导通状态损耗占主导的任务。

品牌

EPC

封装

BGA-4

库存

16

货期

现货

EPC2036参数

封装BGA-4
品牌EPC
MOQ / SPQ1 / 1
分类氮化镓晶体管(GaN HEMT)
库存16

EPC2036概述

氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数, 可实现极低的导通电阻RDS(on), 其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。 最终的结果是, 该器件可以处理需要非常高的开关频率和短导通时间的任务, 以及导通状态损耗占主导的任务。

EPC2036特性

暂无产品特性。

EPC2036应用领域

暂无应用领域。

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