EPC2036
IC
BGA-4
可供量大可议
EPC2036
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数, 可实现极低的导通电阻RDS(on), 其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。 最终的结果是, 该器件可以处理需要非常高的开关频率和短导通时间的任务, 以及导通状态损耗占主导的任务。
品牌
EPC
封装
BGA-4
库存
16
货期
现货
EPC2036参数
| 封装 | BGA-4 |
|---|---|
| 品牌 | EPC |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 16 |
EPC2036概述
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数, 可实现极低的导通电阻RDS(on), 其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。 最终的结果是, 该器件可以处理需要非常高的开关频率和短导通时间的任务, 以及导通状态损耗占主导的任务。
EPC2036特性
暂无产品特性。
EPC2036应用领域
暂无应用领域。
