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EM6M2T2R
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IC

SOT-563(SOT-666)

EM6M2T2R

场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个N沟道+1个P沟道

品牌

ROHM

封装

SOT-563(SOT-666)

交期

现货

批次

26+

EM6M2T2R参数

封装SOT-563(SOT-666)
品牌ROHM(罗姆)
批次26+
数量1个N沟道+1个P沟道
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
反向传输电容(Crss)10pF
类型N沟道+P沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存7,435
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)150mW
输入电容(Ciss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)10pF

EM6M2T2R概述

场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个N沟道+1个P沟道

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