EM6K6T2R
IC
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EM6K6T2R
ROHM N沟道增强型MOS管 EM𮧂 K𮧂 系列, Vds=򘞟 򏟋 V, 򬓹 򏟋 򏟋 mA, SOT-𢺫 𮧂 򬓹 封装, 表面贴装, 𮧂 引脚
品牌
ROHM
封装
库存
8,000
货期
现货
EM6K6T2R参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8000 |
| MOQ / SPQ | 5 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 输入电容(Ciss) | 25pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:20V 电流:300mA |
| 封装 | SOT-563 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 1.1e-05 |
| 品牌 | ROHM |
|---|---|
| 批次 | 2447+ |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
| 商品型号 | EM6K6T2R |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
EM6K6T2R概述
ROHM N沟道增强型MOS管 EM𮧂 K𮧂 系列, Vds=򘞟 򏟋 V, 򬓹 򏟋 򏟋 mA, SOT-𢺫 𮧂 򬓹 封装, 表面贴装, 𮧂 引脚
EM6K6T2R特性
- MOSFET元件相互独立, 消除了相互干扰。
- 安装成本和面积可减半。
- 导通电阻低。
- 低电压驱动(1.8V), 使该器件非常适合便携式设备。
- 引脚无铅电镀
- 符合RoHS标准。
EM6K6T2R应用领域
- 开关