EFC4C012NLTDG
IC
WLCSP-6(1.9x3.5)
可供量大可议
EFC4C012NLTDG
此 N 沟道功率 MOSFET 使用安森美半导体的沟槽技术生产， 这是专为最大程度减小门极电荷、实现超低导通电阻而设计的技术。 此器件适用于笔记本电脑应用。
品牌
onsemi
封装
WLCSP-6(1.9x3.5)
库存
1
货期
现货
EFC4C012NLTDG参数
| 封装 | WLCSP-6(1.9x3.5) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
EFC4C012NLTDG概述
此 N 沟道功率 MOSFET 使用安森美半导体的沟槽技术生产， 这是专为最大程度减小门极电荷、实现超低导通电阻而设计的技术。 此器件适用于笔记本电脑应用。
EFC4C012NLTDG特性
暂无产品特性。
EFC4C012NLTDG应用领域
暂无应用领域。