E40P100KC
IC
TO-252
可供量大可议
E40P100KC
1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):40A功率(Pd)102W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):45mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)98nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)2300pF@-25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
品牌
Existar
封装
TO-252
库存
2,148
货期
现货
E40P100KC参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Existar(毅芯达) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2148 |
E40P100KC概述
1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):40A功率(Pd)102W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):45mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)98nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)2300pF@-25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
E40P100KC特性
暂无产品特性。
E40P100KC应用领域
暂无应用领域。