E3M0075120K
IC
TO-247-4
可供量大可议
E3M0075120K
特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源引脚的优化封装。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷(Qrr)。 应用：电动汽车电池充电器。 高压直流/直流转换器
品牌
WOLFSPEED
封装
TO-247-4
库存
131
货期
现货
E3M0075120K参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | WOLFSPEED |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 131 |
E3M0075120K概述
特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源引脚的优化封装。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷(Qrr)。 应用：电动汽车电池充电器。 高压直流/直流转换器
E3M0075120K特性
暂无产品特性。
E3M0075120K应用领域
暂无应用领域。