E3D08065G-TR-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
E3D08065G-TR-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下可保持稳定性能。 其正向压降(VF)典型值为1.42V, 有助于降低导通损耗, 提升系统能效。 器件利用碳化硅材料特性, 具有优异的开关速度和高温工作能力, 适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及高密度电源模块等场景, 可有效改善电路的热管理表现与整体效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
24
货期
现货
E3D08065G-TR-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
E3D08065G-TR-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下可保持稳定性能。 其正向压降(VF)典型值为1.42V, 有助于降低导通损耗, 提升系统能效。 器件利用碳化硅材料特性, 具有优异的开关速度和高温工作能力, 适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及高密度电源模块等场景, 可有效改善电路的热管理表现与整体效率。
E3D08065G-TR-HXY特性
暂无产品特性。
E3D08065G-TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
