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E3D08065G-TR-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

E3D08065G-TR-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下可保持稳定性能。 其正向压降(VF)典型值为1.42V, 有助于降低导通损耗, 提升系统能效。 器件利用碳化硅材料特性, 具有优异的开关速度和高温工作能力, 适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及高密度电源模块等场景, 可有效改善电路的热管理表现与整体效率。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

24

货期

现货

E3D08065G-TR-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

E3D08065G-TR-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下可保持稳定性能。 其正向压降(VF)典型值为1.42V, 有助于降低导通损耗, 提升系统能效。 器件利用碳化硅材料特性, 具有优异的开关速度和高温工作能力, 适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及高密度电源模块等场景, 可有效改善电路的热管理表现与整体效率。

E3D08065G-TR-HXY特性

暂无产品特性。

E3D08065G-TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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