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E22P-433M30S
IC

SMD, 38.5x24mm

可供量大可议

E22P-433M30S

基于Semtech高性能射频芯片SX126X为核心自主研发的贴片式LoRa无线模块, 内部使用工业级高精度有源温补晶振。 在原有基础上增加射频前端模组(RF FEM), 该模组包含功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)和射频开关, 抗干扰性能与通信距离得到了提升, 进一步拉开了与FSK、GFSK调制方式的产品的差距。

品牌

EBYTE

封装

SMD, 38.5x24mm

库存

5

货期

现货

E22P-433M30S参数

封装SMD, 38.5x24mm
品牌EBYTE(亿佰特)
MOQ / SPQ1 / 1
分类LoRa模块
库存5

E22P-433M30S概述

基于Semtech高性能射频芯片SX126X为核心自主研发的贴片式LoRa无线模块, 内部使用工业级高精度有源温补晶振。 在原有基础上增加射频前端模组(RF FEM), 该模组包含功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)和射频开关, 抗干扰性能与通信距离得到了提升, 进一步拉开了与FSK、GFSK调制方式的产品的差距。

E22P-433M30S特性

暂无产品特性。

E22P-433M30S应用领域

暂无应用领域。

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