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E18P100KH
IC

PDFN5x6-8

可供量大可议

E18P100KH

1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):19A功率(Pd)79W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):100mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)72nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)3690pF@-50V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)

品牌

Existar

封装

PDFN5x6-8

库存

190

货期

现货

E18P100KH参数

封装PDFN5x6-8
品牌Existar(毅芯达)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存190

E18P100KH概述

1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):19A功率(Pd)79W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):100mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)72nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)3690pF@-50V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)

E18P100KH特性

暂无产品特性。

E18P100KH应用领域

暂无应用领域。

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