E18P100KC
IC
TO-252
可供量大可议
E18P100KC
1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):18A功率(Pd)36.7W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):110mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)35nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)2110pF@-50V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
品牌
Existar
封装
TO-252
库存
85
货期
现货
E18P100KC参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Existar(毅芯达) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
E18P100KC概述
1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):18A功率(Pd)36.7W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):110mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)35nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)2110pF@-50V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
E18P100KC特性
暂无产品特性。
E18P100KC应用领域
暂无应用领域。