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E100N4P0HL1
IC

PDFN-8(5x6)

可供量大可议

E100N4P0HL1

1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):83A功率(Pd)52W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):4mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)74.2nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3841pF@50V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

品牌

Existar

封装

PDFN-8(5x6)

库存

278

货期

现货

E100N4P0HL1参数

封装PDFN-8(5x6)
品牌Existar(毅芯达)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存278

E100N4P0HL1概述

1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):83A功率(Pd)52W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):4mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)74.2nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3841pF@50V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

E100N4P0HL1特性

暂无产品特性。

E100N4P0HL1应用领域

暂无应用领域。

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