E068N8P5CH1
IC
TO-252
可供量大可议
E068N8P5CH1
1个N沟道漏源电压(Vdss):68V连续漏极电流(Id):69A功率(Pd)103W阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):8.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)55.6nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2710pF@30V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)
品牌
Existar
封装
TO-252
库存
1,410
货期
现货
E068N8P5CH1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Existar(毅芯达) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1410 |
E068N8P5CH1概述
1个N沟道漏源电压(Vdss):68V连续漏极电流(Id):69A功率(Pd)103W阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):8.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)55.6nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2710pF@30V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)
E068N8P5CH1特性
暂无产品特性。
E068N8P5CH1应用领域
暂无应用领域。