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E030P7P8ML1
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可供量大可议

E030P7P8ML1

1个P沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):44A功率(Pd)24W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):7.8mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)61nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)3240pF@-15V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

品牌

Existar

封装

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库存

110

货期

现货

E030P7P8ML1参数

封装PDFN3.3x3.3-8
品牌Existar(毅芯达)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存110

E030P7P8ML1概述

1个P沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):44A功率(Pd)24W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):7.8mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)61nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)3240pF@-15V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

E030P7P8ML1特性

暂无产品特性。

E030P7P8ML1应用领域

暂无应用领域。

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