DZDH0401DW-7

旨在驱动配置为理想二极管的 P 沟道增强型 MOSFET。 该器件用作差分放大器和 PMOS 控制器， 当 V_IN > V_OUT 时可将正向电流损耗降至最低， 当 V_IN < V_OUT 时可提供高隔离度。 电路比较 IN 和 OUT 之间的电压。 如果压差大于 ~34 mV（典型值）， V_BIAS 将下降， PMOS 将导通； 如果压差小于 ~34 mV， V_BIAS 将上升， PMOS 将关断， 使 IN 与 OUT 隔离。